儀器由測(cè)試臺(tái)、四探針頭、電腦、軟件等組成。
四探針電阻測(cè)試儀有常規(guī)電阻量程用于測(cè)量薄片、膜類、塊狀、棒類等材料的電導(dǎo)率、電阻率、方塊電阻、薄膜厚度等參數(shù),如玻璃或陶瓷上導(dǎo)電薄膜(ITO)厚度或方塊電阻、硅片和半導(dǎo)體電阻率,薄片金屬、導(dǎo)電橡膠和防靜電材料電導(dǎo)率等。也有高電阻量程、雙電測(cè)方式、帶厚度感應(yīng)器等不同組合的電阻測(cè)試儀,可據(jù)需要選用適合款式。四探針測(cè)量方式的優(yōu)點(diǎn)是消除了探針和樣品接觸電阻的影響。
厚度參數(shù)有通過已知材料的電阻率,通過方阻算出導(dǎo)電膜厚度,適合純凈材料的測(cè)試。也可直接通過亞微米級(jí)精度的厚度感應(yīng)器在測(cè)電阻的同時(shí)測(cè)量出膜類材料的厚度,確保厚度和電阻測(cè)量在樣品同一位置,特別適合不均勻膜類和片類材料的測(cè)量。同時(shí),半自動(dòng)的厚度測(cè)量和記錄避免了人為誤差,能獲得更高的精度,也滿足了實(shí)驗(yàn)室智能化、數(shù)據(jù)化的發(fā)展方向。這功能為國(guó)內(nèi)首創(chuàng)。
運(yùn)用直線或方形四探針,按改進(jìn)性范德堡測(cè)量方法測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器,符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》,并參考美國(guó) ASTM 標(biāo)準(zhǔn)??蓽y(cè)材料的電阻率、方阻及對(duì)應(yīng)的環(huán)境溫度,也可測(cè)元器件的接觸電阻。
電阻測(cè)量范圍 | 0.1μΩ~30MΩ |
電阻測(cè)試精度 | 0.05%FS |
電阻最小分辨率 | 0.01μΩ |
探針壓力 | 20~300g |
溫度測(cè)量范圍 | 0~100℃ |
功率 | 20W |
厚度測(cè)量范圍 | 0~10mm |
精度 | 1μm |
厚度分辨率 | 0.01μm |
尺寸 | 385mm(長(zhǎng))*249mm(寬)*102mm(高) |
高精度穩(wěn)定可靠外,有雙電測(cè)功能消除樣品和探針間距帶來的誤差,同時(shí)在測(cè)電阻的同時(shí)可測(cè)樣品厚度,避免手工輸入的錯(cuò)誤,同時(shí)可確保厚度和電阻在樣品同一位置取值,避免樣品厚度不均勻帶來的測(cè)試誤差。
選配不同探頭,可測(cè)試多種材料,高耐磨碳化鎢探針探頭可測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;球形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上不同測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。